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 碳化硅功率模块的优点
Hybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET功率模块结合了成熟的工业标准功率模块和封装技术的优点。得益于多种封装优化，碳化硅的各种优点得以充分利用。
碳化硅功率模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。
碳化硅功率模块的关键特性
更高的开关频率，够优化滤波元件并降低其成本
冷却设备更紧凑，降低功率损耗，从而提升效率并降低系统成本和规模
最新的碳化硅SiC MOSFET芯片
标准工业封装，按照碳化硅的要求进行优化：电感，低热阻
针对实际应用优化芯片组
碳化硅功率模块的应用
太阳能逆变器：升压电路和逆变器应用
储能系统：大效率和低噪声
UPS：高效双转换系统
电机驱动器：主动前端与电机侧（混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全桥和半桥）
电源：牵引应用、感应加热等的助电源
领先的芯片和封装技术，实现最大能效
混合碳化硅模块：功率损耗降低50%，用简便
IGBT开关与碳化硅肖特基二极管相结合
几乎没有二极管损耗，并显著减少IGBT开关损耗
高速IGBT和碳化硅肖特基二极管使关损耗降低50%
轻松实现成本优化的碳化硅解决方案：动器或系统无需进行重大设计变更，使用的碳化硅芯片面积小，能够限制成本
SiC MOSFET功率模块主要应用：太阳能逆变器，储能系统，大功率汽车充电站，高效、高速电机驱动。
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| 公司名称： |
上海保迪增浩国际贸易有限公司 |
公司类型： |
企业单位 () |
| 所 在 地： |
上海 |
公司规模： |
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| 注册资本： |
未填写 |
注册年份： |
1997 |
| 资料认证： |
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| 保 证 金： |
已缴纳 0.00 元 |
| 经营范围： |
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| 销售的产品： |
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| 采购的产品： |
上海BASiC基本半导体代理商，储能变流器碳化硅MOSFET,储能IGBT模块，定制IGBT模块，储能PCS Buck-Boost用SiC MOSFET,光伏逆变器IGBT,SiC MOSFET,分立IGBT,混合IGBT模块,光伏逆变器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，混合三电平SiC-IGBT模块，IGBT单管，光储一体IGBT单管，国产混合IGBT单管，国产SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,国产SiC MOSFET模块，SOT-227碳化硅肖特基二 |
| 主营行业： |
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